InP基板上的Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅴ多层结构

摘要

提供一种包括InP基板和II-VI及III-V材料交替层的多层结构。一般地，II-VI及III-V材料交替层与InP基板晶格匹配或者假同晶。一般地，II-VI材料选自ZnSe、CdSe、BeSe、MgSe、ZnTe、CdTe、BeTe、MgTe、ZnS、CdS、BeS、MgS和它们的合金，更一般地，选自CdZnSe、CdMgZnSe、BeZnTe和BeMgZnTe合金，最一般选自Cd_xZn_1-xSe，其中x在0.44和0.54之间。一般地，III-V族材料选自InAs、AlAs、GaAs、InP、AlP、GaP、InSb、AlSb、GaSb和它们的合金，更一般地选自InP、InAlAs、GaInAs、AlInGaAs和GaInAsP合金，最一般地选自InP或In_yAl成一个或多个分布布喇格反射镜(DBR)。另一方面，本发明提供一种含有InP基板和分布布喇格反射镜(DBR)的多层结构，该分布布喇格反射镜具有95％或更高的反射率并至多包括15对外延半导体材料涂层。另一方面，本发明提供一种含有本发明所述多层结构的激光器。另一方面，本发明提供一种含有本发明所述多层结构的光电探测器。

主权项

1.一种多层结构，其包括：InP基板；以及II-VI和III-V材料的交替层；所述II-VI材料选自BeZnTe、BeMgZnTe和CdxZn1-xSe构成的组，其中x在0.44和0.54之间；其中，所述II-VI和III-V材料的交替层形成一个或多个分布布喇格反射镜。