发明名称 |
磁记录介质及磁记录介质基片 |
摘要 |
如果双层型垂直磁记录介质的软磁层由电镀形成,那么会产生在组成软磁层的电镀膜表面上几毫米至几厘米范围内特定方向上被磁化的大量磁畴,且在这些磁畴的边缘上产生磁畴壁。如果包含这些磁畴壁的软磁层用于双层垂直磁记录介质,那么由已知为尖锋噪音的通过由磁畴壁部分产生的漏磁场而产生的隔离的脉冲噪音的产生会引起信号再现特性的巨大损坏的问题。为了解决这个问题,磁记录介质基片包含直径不超过90毫米的基片;和软磁膜电镀层,其包含包括选自钴、镍和铁设置在基片上的至少两种金属的合金,关于在基片平面内的同心圆方向,用VSM磁化测量法获得的矫顽力值小于30奥斯特,且饱和磁化强度与剩余磁化强度的比率从50∶1至5∶1。 |
申请公布号 |
CN100479038C |
申请公布日期 |
2009.04.15 |
申请号 |
CN200510051713.1 |
申请日期 |
2005.02.25 |
申请人 |
信越化学工业株式会社 |
发明人 |
津森俊宏;滨口优 |
分类号 |
G11B5/66(2006.01)I;G11B5/84(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/66(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
樊卫民;关兆辉 |
主权项 |
1.一种磁记录介质基片,其包含:基片,其具有不超过90毫米的直径,以及软磁膜电镀层,其包含选自包含钴、镍和铁的组中的至少两种金属的合金,上述软磁膜电镀层设置在基片表面上,其中,相对于在基片平面内的同心圆方向,用VSM磁化测量法获得的矫顽力值小于30奥斯特,并且饱和磁化强度与剩余磁化强度的比率为从50∶1至5∶1。 |
地址 |
日本东京都 |