| 发明名称 | 高成品率高密度芯片上电容器设计 | ||
| 摘要 | 一种安装在半导体芯片上的电容电路组件(310)及其形成方法，包括在第一和第二端口之间并联电路连接的多个渐扩电容器，该多个并联的渐扩电容器包括至少一个金属氧化物硅电容器(312)和选自包括垂直原生电容器(316)和金属-绝缘体-金属电容器(314)的组的至少一个电容器。在一个方面，该组件具有垂直取向，该金属氧化物硅电容器(312)位于底部并限定占用面积，中间垂直原生电容器(316)包括多个水平金属层，其包括与多个平行负极板交替的多个平行正极板。在另一方面，垂直不对称的取向提供了减小的总寄生电容量。 | ||
| 申请公布号 | CN101410944A | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200780010876.2 | 申请日期 | 2007.04.03 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 金钟海;R·奇钦斯基;J－O·普鲁查特;金文柱 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/07(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 1.一种安装在半导体芯片上并包括在第一和第二端口之间并联电路连接的多个渐扩电容器的电容电路组件，该多个并联的渐扩电容器包括至少一个金属氧化物硅电容器和从包括垂直原生电容器和金属-绝缘体-金属电容器的组中选出的至少一个电容器。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||