| 发明名称 | 改善ESD防护器件均匀导通的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种改善ESD防护器件均匀导通的方法，适用于集成电路中静电放电(ESD)防护器件的特性改进，其中所述的MOS晶体管具有多个相互并联的指状元件，各指状元件分别关联于一个寄生三极管，且各寄生三极管的集电极(即MOS晶体管的漏极)通过共漏极线耦接于工作电位端或集成电路的I/O端，寄生三极管的发射极(即MOS晶体管的源极)与MOS晶体管的栅极、衬底共同连接于公共接地电位端。其特征为：在所述的ESD防护器件中，MOS晶体管的衬底端还串联有一高阻值装置，进而将其与上述源极、栅极一起耦接到公共接地电位端。藉此可以降低Gated_MOSFET的触发电压，使得大尺寸的防护器件能够更均匀的导通，提高器件的ESD防护能力，进一步节省电路设计面积，降低开发成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101409444A | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200710133873.X | 申请日期 | 2007.10.11 |
| 申请人 | 和舰科技（苏州）有限公司 | 发明人 | 石俊;夏洪旭;王政烈 |
| 分类号 | H02H9/00(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H02H9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 陈忠辉;姚姣阳 |
| 主权项 | 1.一种改善ESD防护器件均匀导通的方法，适用于集成电路中静电放电(ESD)防护器件的特性改进，其中所述的MOS晶体管具有多个相互并联的指状元件，各指状元件分别关联于一个寄生三极管，且各寄生三极管的集电极(即MOS晶体管的漏极)通过共漏极线耦接于工作电位端或集成电路的I/O端，寄生三极管的发射极(即MOS晶体管的源极)与MOS晶体管的栅极及衬底共同连接于公共接地电位端，其特征在于：在所述的ESD防护器件中，MOS晶体管的衬底端还串联有一高阻值装置，进而将其与上述源极、栅极一起耦接到公共接地电位端。 | ||
| 地址 | 215025江苏省苏州市工业园区星华街333号 | ||