发明名称 芯衬底及其制造方法
摘要 本发明涉及一种芯衬底及其制造方法。该芯衬底能够可靠地防止导电芯部分与镀通孔部分之间的短路。该芯衬底包括:具有导孔的导电芯部分,通过该导孔形成镀通孔部分;多个导电层,涂覆导孔的内面和芯部分的表面;除气孔,形成在涂覆芯部分的表面的导电层中;绝缘材料,填充导孔的内面与镀通孔部分的外围面之间的空间;以及多个线缆层,层积在芯部分的两个侧面上。
申请公布号 CN101409986A 申请公布日期 2009.04.15
申请号 CN200810145404.4 申请日期 2008.08.05
申请人 富士通株式会社 发明人 饭田宪司;阿部知行;前原靖友;平野伸;中川隆;吉村英明;山胁清吾;尾崎德一
分类号 H05K3/46(2006.01)I;H05K3/42(2006.01)I;H05K3/44(2006.01)I 主分类号 H05K3/46(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 张龙哺;陈 晨
主权项 1.一种芯衬底,包括:具有导孔的导电芯部分,通过所述导孔形成镀通孔部分;多个导电层,涂覆所述导孔的内面和所述芯部分的表面;除气孔,形成在涂覆所述芯部分的表面的所述导电层中;绝缘材料,填充所述导孔的内面与所述镀通孔部分的外围面之间的空间;以及多个线缆层,层积在所述芯部分的两个侧面上。
地址 日本神奈川县川崎市