| 发明名称 | 高纵横比触点 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种用于通过将具有至少百分之五十(50)He的第一气体蚀刻剂供应到等离子体蚀刻反应器并将绝缘层暴露于所述第一气体蚀刻剂的等离子体来蚀刻所述绝缘层以产生具有至少15∶1的纵横比的开口的方法。使用所述第一气体蚀刻剂可减少绝缘层中具有至少15∶1的纵横比的开口中的扭曲的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN101410957A | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200780010481.2 | 申请日期 | 2007.02.20 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 阿龙·R·威尔逊 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1、一种用于蚀刻绝缘层的方法，其包括：将具有至少百分之五十(50)He的第一气体蚀刻剂供应到等离子体蚀刻反应器；及将所述绝缘层暴露于所述第一气体蚀刻剂的等离子体以用所述等离子体蚀刻具有至少15∶1的纵横比的开口。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||