| 发明名称 | 对非易失性存储单元编程的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种对非易失性存储单元编程的方法，所述方法包括：通过将非易失性存储单元的阈值电压设置为第一电压电平来对多位数据的第一位编程，所述第一电压电平在多个阈值电压分布中的第一阈值电压分布内。通过基于第二位的值将阈值电压设置为第二电压电平来对多位数据的第二位编程。如果第二位是第一值，则第二电压电平与第一电压电平相同，如果第二位是第二值，则第二电压电平在所述多个阈值电压分布中的第二阈值电压分布内。通过基于第三位的值将阈值电压设置为第三电压电平来对多位数据的第三位编程。 | ||
| 申请公布号 | CN101409107A | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200810148926.X | 申请日期 | 2008.09.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴珠姬;金英文;朴允童;李承勋;赵庆来;边成宰;宋承桓 |
| 分类号 | G11C16/12(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;刘奕晴 |
| 主权项 | 1、一种对非易失性存储单元编程的方法，包括：通过将非易失性存储单元的阈值电压设置为第一电压电平来对多位数据的第一位编程，所述第一电压电平在多个阈值电压分布中的第一阈值电压分布内；通过基于第二位的值将阈值电压设置为第二电压电平来对多位数据的第二位编程，如果第二位是第一值，则第二电压电平与第一电压电平相同，如果第二位是第二值，则第二电压电平在所述多个阈值电压分布中的第二阈值电压分布内；通过基于第三位的值将阈值电压设置为第三电压电平来对多位数据的第三位编程，其中，如果第三位是第二值，则当第一位是第一值时的第三电压电平与当第一位是第二值时的第三电压电平相同。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||