| 发明名称 | 金属-绝缘层-金属电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种金属-绝缘层-金属电容器的制造方法，首先于衬底上形成一层第一金属层，然后，对第一金属层表面进行等离子体处理工艺。接着，于第一金属层上依序形成一层第一氧化层、氮化层及第二氧化层。之后，于第二氧化层上形成一层第二金属层。然后，定义第二金属层、第二氧化层、氮化层、第一氧化层及第一金属层，以形成金属-绝缘层-金属电容器。于该氮化层形成后及该第二氧化层形成前，对该氮化层表面进行一第二等离子体处理工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN100479157C | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200610067991.0 | 申请日期 | 2006.03.27 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林平伟;巫金佳;姜兆声 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/102(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1.一种金属-绝缘层-金属电容器的制造方法，包括：于一衬底上形成一第一金属层；对该第一金属层表面进行一第一等离子体处理工艺；于该第一金属层上形成一第一氧化层；于该第一氧化层上形成一氮化层；对该氮化层表面进行一第二等离子体处理工艺；于该氮化层上形成一第二氧化层；于该第二氧化层上形成一第二金属层；以及蚀刻该第二金属层、该第二氧化层、该氮化层、该第一氧化层及该第一金属层，以形成该金属-绝缘层-金属电容器。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||