| 发明名称 | 非易失性存储装置及其操作方法和制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非易失性存储装置及其操作方法和制造方法。所述非易失性存储装置可以包括至少一个半导体层、多个控制栅电极、多个电荷存储层、至少一个第一辅助电极和/或至少一个第二辅助电极。多个控制栅电极可以凹陷到半导体层中。多个电荷存储层可以在多个控制栅电极和半导体层之间。第一和第二辅助电极可以布置成彼此面对。多个控制栅电极可以在第一和第二辅助电极之间，第一和第二辅助电极可以与半导体层电容式结合。 | ||
| 申请公布号 | CN101409290A | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200810144944.0 | 申请日期 | 2008.08.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金锡必;朴允童;金德起;金元柱;陈暎究;李承勋 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;罗延红 |
| 主权项 | 1、一种非易失性存储装置，包括：至少一个半导体层；多个控制栅电极，凹陷到半导体层中；多个电荷存储层，在多个控制栅电极和半导体层之间；至少一个第一辅助电极和至少一个第二辅助电极，第一辅助电极和第二辅助电极布置成彼此面对，其中，多个控制栅电极在第一辅助电极和第二辅助电极之间，第一辅助电极和第二辅助电极与半导体层电容式结合。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||