| 发明名称 | 薄膜晶体管、像素结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜晶体管，其包括一栅极、一栅绝缘层、一掺杂半导体层、一沟道层以及一源极与一漏极。其中，栅极配置于基板上，而栅绝缘层配置于基板上并覆盖栅极。掺杂半导体层配置于栅极上方的栅绝缘层上。此外，沟道层配置于掺杂半导体层上。源极与漏极分别配置于沟道层上的两侧。该薄膜晶体管于关闭状态时具有较低的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101409308A | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200710162026.6 | 申请日期 | 2007.10.10 |
| 申请人 | 中华映管股份有限公司 | 发明人 | 苏大荣;陆文正;谢孟儒 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 左一平 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，适于配置在一基板上，其特征在于，该薄膜晶体管包括：一栅极，配置于该基板上；一栅绝缘层，配置于该基板上，且覆盖该栅极；一掺杂半导体层，配置于该栅极上方的该栅绝缘层上；一沟道层，配置于该掺杂半导体层上；以及一源极与一漏极，分别配置于该沟道层上的两侧。 | ||
| 地址 | 台湾省台北市中山北路三段二十二号 | ||