| 发明名称 | 制造半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种制造半导体结构的方法，其中该方法包括在半导体层上形成层间介电层(ILD)，在ILD上形成导电的镀敷增强层(PEL)，图形化ILD和PEL，将籽层沉积到由ILD和PEL形成的图形中，之后在籽层上镀敷铜。PEL用于降低横跨晶片的电阻，以利于镀敷铜。PEL优选是光学透明和导电的层。 | ||
| 申请公布号 | CN100479130C | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200710002383.6 | 申请日期 | 2007.01.15 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 肖姆·波诺斯;约翰·安东尼·菲茨西蒙斯;史蒂文·夏伊格-聪;特里·A.·斯普纳 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：获得半导体晶片；在半导体晶片上形成层间介电层；在层间介电层上形成导电的镀敷增强层；图形化层间介电层和镀敷增强层，并去除一段镀敷增强层和至少一部分层间介电层；将籽层沉积到由层间介电层和镀敷增强层形成的图形中；和在籽层上镀敷铜。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||