| 发明名称 | 半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件及其制作方法，包括：提供上方具有堆叠层的衬底，其中该堆叠层与该衬底具有沟槽，而该沟槽的底部低于该衬底的表面；进行外延工艺，以在该沟槽的侧壁与底部形成外延层；在该外延层表面顺应性地沉积氧化层；以及除去部分位于该沟槽的底部的氧化层和外延层以露出部分衬底。本发明能够解决源/漏极离子注入不均的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101409210A | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200710180919.3 | 申请日期 | 2007.10.09 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 吴奇煌;杨建荣 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件的制作方法，包括以下步骤：提供上方具有堆叠层的衬底，其中该堆叠层与该衬底具有沟槽；进行外延工艺，以在该沟槽的侧壁与底部形成外延层；在该外延层的表面顺应性沉积氧化层；以及除去部分位于该沟槽底部的该氧化层和该外延层以露出部分该衬底。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||