SOI衬底的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种有效地利用资源，并且生产率良好地制造SOI衬底的技术。本发明的技术要点是反复进行如下工序A和工序B的。工序A包括如下：将簇离子照射到半导体片的表面，在半导体片中形成分离层。半导体片和具有绝缘表面的衬底彼此重叠而接合，然后，通过进行热处理，在分离层或该分离层附近分离半导体片。在工序A中同时获得剥离片和在具有绝缘表面的衬底上方具有晶体半导体层的SOI衬底。工序B包括如下：进行为了再利用剥离片的处理，其结果可以在工序A中继续利用该剥离片。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：第一工序，其中将簇离子照射到半导体片的表面，以在所述半导体片中形成分离层；第二工序，其中将所述半导体片的表面和具有绝缘表面的衬底彼此接合；第三工序，其中在所述分离层或所述分离层附近分离所述半导体片，来形成剥离片和包括在所述具有绝缘表面的衬底上形成的半导体层的SOI衬底；第四工序，其中处理所述剥离片；以及第五工序，其中通过使用所述剥离片作为所述第一至第三工序的所述半导体片，进行所述第一至第三工序。