用于制造多个光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

摘要

本发明涉及一种用于制造多个光电子半导体芯片的方法，所述光电子半导体芯片分别包括多个分别具有至少一个半导体层的结构元件。在所述方法中，提供具有衬底和生长表面的芯片复合基底。未闭合的掩膜材料层在生长表面上这样生长，使得所述掩膜材料层包括多个统计分布的具有变化的形状和/或孔径面积的窗，其中这样选择掩膜材料，使得半导体层的要在稍后的方法步骤中生长的半导体材料在该掩膜材料上不能够生长或者相较于生长表面能够明显更差地生长。接着，半导体层同时涂敷在生长表面的位于窗内的区域上。另一方法步骤是将具有所生长的材料的芯片复合基底分隔成半导体芯片。此外，本发明还涉及按照所述方法制造的光电子半导体器件。

主权项

1.用于制造多个光电子半导体芯片的方法，所述光电子半导体芯片分别包括多个分别具有至少一个半导体层的结构元件，其中所述方法至少包括以下方法步骤：-提供芯片复合基底，所述芯片复合基底具有衬底和生长表面；-未闭合的掩膜材料层在所述生长表面上生长，使得所述掩膜材料层包括多个统计分布的具有变化的形状和/或孔径面积的窗，其中选择掩膜材料，使得所述半导体层的要在稍后的方法步骤中生长的半导体材料在该掩膜材料上不能够生长或者相较于生长表面能够明显更差地生长；-半导体层同时在所述生长表面的位于所述窗内的区域上生长；-将具有所生长的材料的所述芯片复合基底分隔成半导体芯片。