| 发明名称 | GaN系半导体发光元件和灯 | ||
| 摘要 | 本发明提供发光特性、和出光效率优异的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法以及灯。这样的氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，是被赋予了凹凸形状的透光性基板上至少具有缓冲层、n型半导体层、发光层、p型半导体层的GaN系半导体发光元件的制造方法，通过使用具有摆动式磁控管磁路的溅射装置的溅射法成膜，得到所述缓冲层。另外，以AlN、ZnO、Mg、Hf形成所述缓冲层。 | ||
| 申请公布号 | CN101410992A | 申请公布日期 | 2009.04.15 |
| 申请号 | CN200780010489.9 | 申请日期 | 2007.03.30 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 大泽弘;篠原裕直 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;田 欣 |
| 主权项 | 1.一种GaN系半导体半导体发光元件的制造方法，所述GaN系半导体发光元件在被赋予了凹凸形状的透光性基板上至少具有缓冲层、n型半导体层、发光层、和p型半导体层，其特征在于，通过溅射法来成膜所述缓冲层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||