发明名称 利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法
摘要 一种利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法,包括如下步骤:1)在蓝宝石衬底上生长外延层结构;2)在外延层结构上刻蚀形成圆台;3)制作n型网状欧姆接触电极和电极焊点;4)在整个器件结构的上表面淀积二氧化硅或氮化硅绝缘层;5)将圆台上表面的绝缘层腐蚀掉;6)在整个器件结构的上表面除电极焊点外的其它区域淀积p型加厚高反射率金属电极;7)光刻腐蚀n电极焊点上面的绝缘层;8)将蓝宝石衬底的背面减薄,切割成单个管芯结构;9)在硅支撑体上的淀积介质层;10)将管芯结构通过凸点与硅支撑体倒装焊接;11)切割,形成发光二极管管芯。
申请公布号 CN100479208C 申请公布日期 2009.04.15
申请号 CN200610003199.9 申请日期 2006.02.24
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 郭金霞;王良臣
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汤保平
主权项 1、一种利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)在蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层结构;2)在外延层结构上以二氧化硅作掩蔽进行干法刻蚀,形成尺寸为4-20微米的圆台,提高发光二极管的提取效率;3)在圆台周围的平面上制作n型网状欧姆接触电极和n电极焊点,使功率型微结构发光二极管的电流扩展更为均匀;4)在整个器件结构的上表面淀积二氧化硅或氮化硅绝缘层,该层作为双层布线的绝缘层,同时作为刻蚀完圆台后的台面钝化层,以减小因有源层暴露引起的漏电;5)将圆台上表面的绝缘层腐蚀掉,在暴露的圆台上面制作p型欧姆接触电极;6)在整个器件结构的上表面除n电极焊点外的其它区域淀积p型加厚高反射率金属电极,将所有的p型欧姆接触电极互连起来,减小发光二极管的串联电阻;7)光刻腐蚀n电极焊点上面的绝缘层,暴露n电极焊点;8)将蓝宝石衬底的背面减薄,按照设计的管芯大小将器件结构切割成单个管芯结构;9)形成硅支撑体,在硅片上淀积介质层,将硅片上与管芯结构上n电极焊点区域对应的介质层腐蚀掉,在硅片上与管芯结构的p型加厚高反射率金属电极和n电极焊点对应的区域上淀积高反射率金属焊接层形成P、N电极区,并在上面制作凸点,该凸点的材料为金或锡,以形成硅支撑体;10)将管芯结构通过凸点与硅支撑体倒装焊接;11)切割,形成发光二极管管芯。
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