| 主权项 |
1.一种散热装置，该散热装置系设于晶体成型装置之坩锅底层，其特征在于：该散热装置靠近坩锅一侧设有复数与坩锅接触区段及非接触区段。2.一种散热装置，该散热装置系设于晶体成型装置之坩锅底层，其特征在于：该散热装置靠近坩锅一侧设有复数低于表面不连续之凹槽。3.如请求项2所述之散热装置，其中各凹槽间系形成有与坩锅底层接触之散热区。4.如请求项2所述之散热装置，其中该散热装置系采用阵列分布方式设有复数凹槽。5.如请求项2所述之散热装置，其中该散热装置系采用非阵列分布方式设有复数凹槽。6.一种散热装置，该散热装置系设于晶体成型装置之坩锅底层，其特征在于：该散热装置靠近坩锅一侧设有复数突出于表面不连续之散热区。7.如请求项6所述之散热装置，其中各散热区可以与该散热装置一体成型；或者各散热区可以外加于该散热装置上。8.如请求项6所述之散热装置，其中该散热装置系采用阵列分布方式设有复数散热区。9.如请求项6所述之散热装置，其中该散热装置系采用非阵列分布方式设有复数散热区。10.如请求项1、2或6所述之散热装置，其中该散热装置可以为散热板。11.如请求项1、2或6所述之散热装置，其中该散热装置可以为均热板。12.如请求项2、4或5所述之散热装置，其中该凹槽可以为圆形或矩形。13.一种晶体成型装置，系包有：一坩锅，用以容置液相原料；加热器，系设于坩锅周围；一散热装置，设于坩锅底层，并且设有复数与坩锅接触区段及非接触区段。14.一种晶体成型装置，系包有：一坩锅，用以容置液相原料；加热器，系设于坩锅周围；一散热装置，设于坩锅底层，并且设有复数低于表面不连续之凹槽。15.如请求项14所述之晶体成型装置，其中各凹槽间系形成有与坩锅底层接触之散热区。16.如请求项14所述之晶体成型装置，其中该散热装置系采用阵列分布方式设有复数凹槽。17.如请求项14所述之晶体成型装置，其中该散热装置系采用非阵列分布方式设有复数凹槽。18.一种晶体成型装置，系包有：一坩锅，用以容置液相原料；加热器，系设于坩锅周围；一散热装置，设于坩锅底层，并且设有复数突出于表面不连续之散热区。19.如请求项18所述之晶体成型装置，其中各散热区可以与该散热装置一体成型；或者各散热区可以外加于该散热装置上。20.如请求项18所述之晶体成型装置，其中该散热装置系采用阵列分布方式设有复数散热区。21.如请求项18所述之晶体成型装置，其中该散热装置系采用非阵列分布方式设有复数散热区。22.如请求项13、14或18所述之晶体成型装置，其中该散热装置可以为散热板。23.如请求项13、14或18所述之晶体成型装置，其中该散热装置可以为均热板。24.如请求项14、16或17所述之晶体成型装置，其中该凹槽可以为圆形或矩形。图式简单说明：第一图系为习有晶体成型技术之晶种形成状态示意图。第二图系为利用习有晶体成型技术所完成之多晶矽晶体外观示意图。第三图系为利用习有晶体成型技术所完成之多晶矽晶体横切面结构示意图。第四图系为本创作之装置结构示意图。第五图系为本创作之晶种形成状态示意图。第六图系为本创作之晶种扩大状态示意图。第七图系为利用本创作所完成之多晶矽晶体外观示意图。第八图系为本创作第一实施例之散热装置平面结构图。第九图系为本创作第二实施例之散热装置平面结构图。第十图系为利用本创作所完成之多晶矽晶体横切面结构示意图。第十一图系为利用本创作所完成之多晶矽晶体横切面结构示意图。 |
