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Die vorliegende Offenbarung betrifft allgemein das Bilden einer Metallisierungsschicht in einer Halbleitervorrichtung. Insbesondere betrifft diese Offenbarung die Damaszener-Einlege-Technik in low-k dielektrischen Schichten. Das Ätzen von Gräben und Durchgangslöchern in low-k dielektrischen Materialien führt zu unebenen und porösen Seitenwänden der Gräben und Durchgangslöcher auf Grund der porösen Natur der low-k dielektrischen Materialien. Deshalb können glatte und dichte Seitenwände nicht erreicht werden, was eine Vorraussetzung für eine effektive Barriereschicht ist, die Kupfer davon abhält, in das low-k dielektrische Material zu diffundieren. Als eine Konsequenz sind die Prozesstoleranzen groß und die Verlässlichkeit der Halbleitervorrichtung wird reduziert. Die vorliegende Offenbarung überwindet diese Nachteile durch eine Oberflächenbehandlung der Seitenwände und Gräben der Durchgangslöcher, um die Oberfläche zu verdichten, so dass die darauffolgende Barriereschicht effektiver vermeiden kann, dass Kupfer in das low-k oder das ultra-low-k dielektrische Material eindiffundiert.
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