| 发明名称 |
Mehrlagiger Phasenübergangsspeicher, insbesondere Speicherzelle und Verfahren zur Herstellung |
| 摘要 |
A phase-change memory may be formed with at least two phase-change material layers separated by a barrier layer. The use of more than one phase-change layer enables a reduction in the programming volume while still providing adequate thermal insulation. |
| 申请公布号 |
DE10297115(B4) |
申请公布日期 |
2009.04.09 |
| 申请号 |
DE2002197115 |
申请日期 |
2002.08.20 |
| 申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
HUDGENS, STEPHEN J.;LOWREY, TYLER A.;KLERSY, PATRICK J. |
| 分类号 |
H01L27/24;H01L29/861;H01L45/00 |
主分类号 |
H01L27/24 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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