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<p>Die Erfindung betrifft eine ESE-Schutzschaltung für einen integrierten Schaltkreis, der ein Drain-erweitertes MOS-Bauelement und ein Ausgangskontaktpad enthält, die einen Schutz erfordert. Die ESE-Schutzschaltung enthält eine erste Diode, die mit dem Ausgangskontaktpad und mit einer Vorspannungsschiene gekoppelt ist, eine zweite Diode, die mit dem Ausgangskontaktpad und mit einer anderen Vorspannu, die zwischen den zwei Vorspannungsschienen gekoppelt ist. Die ESE-Stromklemme ist als ein vertikaler npn-Transistor ausgebildet, dessen Basis und Emitter miteinander gekoppelt sind. Der Kollektor des npn-Transistors ist unter Verwendung einer n-Wannen-Implantation und einer DEMOS-n-Drainerweiterunungsbegrenzungskennlinie erzeugt wird. Die Dioden sind mit einer schwach p-dotierten Substratregion über einer vergrabenen n-Typ-Schicht und einem p-Wannen-Implantat und einem n-Wannen-Implantat, die durch ein dazwischenliegendes Substrat getrennt sind, ausgebildet. Eine dritte Diode kann zwischen den zwei Vorspannungsschienen gekoppelt sein.</p> |
