发明名称 Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle, Speicherzelle sowie integrierte Schaltung
摘要 Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle bereitgestellt, die eine mit metallischem Material dotierte Festkörperelektrolytschicht sowie einer Elektrodenschicht, die oberhalb der Festkörperelektolytschicht angeordnet ist, aufweist. Das Verfahren weist auf: Dotieren einer Festkörperelektrolytschicht mit metallischem Dotiermaterial und Erzeugen einer Elektrodenschicht oberhalb der Festkörperelektrolytschicht, wobei das Dotieren der Festkörperelektrolytschicht vor dem Erzeugen der Elektrodenschicht ausgeführt wird.
申请公布号 DE102007045812(A1) 申请公布日期 2009.04.09
申请号 DE200710045812 申请日期 2007.09.25
申请人 ALTIS SEMICONDUCTOR SNC;QIMONDA AG 发明人 KASKO, IGOR;KUND, MICHAEL
分类号 H01L27/24;H01L21/38;H01L21/98 主分类号 H01L27/24
代理机构 代理人
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