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Ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements in einem Substrat umfasst ein Bilden einer Mehrzahl von Mikrohohlräumen und Carbidabscheidungen in dem Substrat, ein Erzeugen einer Amorphisierung des Substrats, um Kristallgitterdefekte zu bilden, und einer Dotierung des Substrats mit Dotierungsatomen, ein Ausheilen des Substrats derart, dass zumindest ein Teil der Kristallgitterdefekte unter Verwendung der Mikrohohlräume und der Carbidabscheidungen beseitigt wird, und bei dem das Halbleiterelement unter Verwendung der Dotierungsatome gebildet wird.
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