| 发明名称 | 氮化物半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体装置，该氮化物半导体装置(100)具备：n-GaN基板(1)；形成于n-GaN基板(1)的主面上，包括p型区域及n型区域的半导体叠层构造；与半导体叠层构造中所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)；设于基板(1)的背面的n侧电极(34)。基板(1)的背面包括粗糙区域(40a)和平坦区域(40b)，n侧电极(34)将粗糙区域(40a)的至少一部分覆盖。 | ||
| 申请公布号 | CN100477425C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200680000267.4 | 申请日期 | 2006.05.12 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 长谷川义晃;石桥明彦;横川俊哉 |
| 分类号 | H01S5/323(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/323(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体装置，是具备：含有n型杂质的氮化物类半导体基板；形成于所述半导体基板的主面上，包括p型区域及n型区域的半导体叠层构造；与所述半导体叠层构造中所含的所述p型区域的一部分接触的p侧电极；设于所述半导体基板的背面的n侧电极的氮化物半导体装置，其中，所述半导体基板的背面包括平坦区域和粗糙区域，所述n侧电极将所述粗糙区域的至少一部分覆盖，所述半导体基板的背面的所述平坦区域具备具有20μm以上的宽度的带形，并位于所述粗糙区域的周围。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||