| 发明名称 | 用于制作由半导体材料制成的多层结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制作多层结构的方法，该多层结构由半导体材料制成，且包括有源层、支撑层以及在有源层和支撑层之间的绝缘层，特征在于该方法包括对载流子陷阱的密度和/或电绝缘层内的电荷的改变，以便于最小化结构支撑层中的电损耗。 | ||
| 申请公布号 | CN100477152C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200480028008.3 | 申请日期 | 2004.09.27 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司;鲁汶大学 | 发明人 | 让-皮埃尔·拉斯金;迪米特里·勒德雷尔;弗朗索瓦·布吕尼耶 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种用于制作多层结构的方法，该多层结构由半导体材料制成，且包括有源层、支撑层和在所述有源层和所述支撑层之间的电绝缘层，特征在于所述方法包括对所述结构的改变，以便最小化在所述结构支撑层中的电损耗，所述改变意在增加在所述结构的电绝缘层和在下面的结构支撑层之间界面处的载流子陷阱的密度，和/或减少所述结构的电绝缘层中的电荷。 | ||
| 地址 | 法国贝尔南 | ||