一种溅射镀膜用高硅含量硅铝合金靶材及其制备方法

摘要

本发明涉及一种真空溅射镀膜用硅含量在25％～95％的硅铝合金靶材，本发明采用预压成型烧结和直接热压成型两种工艺，利用硅铝合金中铝的熔点低，在高温下烧结结合，将硅粉粘接在一起，从而得到需要的各种成分的Si-Al合金靶材坯料，然后进行机械加工到需要的规格尺寸。本发明的硅铝合金靶材成分可调，合金纯度高，合金中硅相尺寸细小均匀；硅铝靶材致密度高；本发明工艺流程短，成本较低，可获得高质量硅铝合金靶材的工艺，制备的硅铝合金靶材在功能性膜层和装饰性膜层中都可获得应用。

主权项

1、一种溅射镀膜用高硅含量硅铝合金靶材，硅重量含量为25％～95％，余量为铝。