发明名称 一种减阻表面的制造方法
摘要 本发明属于微纳制造技术领域,涉及一种减阻表面的制造方法。在硅、二氧化硅基片、工程塑料基片或者金属基片表面上设计、制作出交错排列的微米级结构阵列,以紫外压印光刻技术为转移手段,模板可重复使用;以氟化工艺作为表面处理手段,得到具有减阻功能的微结构基片,该基片微结构表面的表面能极低。可用于微机电系统器件表面,能减小微尺度下的表面摩擦、磨损及粘附失效;用于运输管道和微流器件表面,能降低流体在微通道中的沿程压力损失,减小流体的流动阻力,增大流速;用于航空、航天、航海、交通运输等领域中,能减小能耗,节省能源。
申请公布号 CN101402446A 申请公布日期 2009.04.08
申请号 CN200810232134.0 申请日期 2008.11.06
申请人 西安交通大学 发明人 王莉;丁玉成;郝秀清;何仲赟;宗学文;卢秉恒
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 代理人 徐文权
主权项 1.一种减阻表面的制造方法,其特征在于,按下列步骤进行:1)制备压印模版,采用湿法刻蚀或者激光加工在模版上得到预先设计的微结构图案,微结构图案呈交错排列的微米阵列,各微柱或凹坑的长、宽为3~130μm,高度为8~100μm,微柱或凹坑之间的间距为6~260μm;2)在基片表面上均匀涂铺一层液态高分子聚合物阻蚀胶,采用粘度为50~150cp的阻蚀胶,低速时转速为600~800rpm,时间10~15s,然后逐渐升高转速至8000rpm,时间为35~45s,胶层厚度为5μm~60μm,待其自由流平;3)将模版压入阻蚀胶层,通过紫外光曝光使阻蚀胶发生聚合反应硬化成型,固化时间10~20s;4)释放压力并将模版脱离基片;5)对基片进行反应离子刻蚀并除去残留的阻蚀胶,在基片上即可得到与模版上微结构等比例的图案,该表面上微结构的长×宽为3×3μm~130×130μm,高度为8~100μm,微柱之间的间距为2μm~260μm;6)在干燥箱中对带有微结构图形的基片表面进行氟化处理,获得低表面能氟自组装单分子层,即具有减阻表面的微结构基片。
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