发明名称 |
有源矩阵显示器和电光元件 |
摘要 |
根据本发明,提供了一种有源矩阵显示器,包括:一个表面绝缘的衬底;在所述绝缘表面上形成的一个半导体层,所述半导体层包括至少第一和第二沟道、在所述第一和第二沟道之间的第一掺杂区、和一对第二掺杂区,其中所述沟道位于所述第二掺杂区之间;形成在所述半导体层上的第一绝缘层;形成在所述绝缘层上的一个栅线,其中所述栅线在所述沟道之上延伸;形成在所述栅线之上的第二绝缘层;形成在所述第二绝缘层之上的一个源线,其中所述源线电连接到所述第二掺杂区中的一个上;形成在所述源线之上的第三绝缘层;和形成在所述第三绝缘层之上的一个像素电极,它电连接到所述第二掺杂区的另一个上;其中所述第一和第二沟道中的一个被所述源线覆盖,而另一个不被所述源线覆盖。 |
申请公布号 |
CN100477247C |
申请公布日期 |
2009.04.08 |
申请号 |
CN200410101997.6 |
申请日期 |
1995.06.01 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
竹村保彦;滨谷敏次;小沼利光;小山润;河崎祐司;张宏勇;山崎舜平 |
分类号 |
H01L27/15(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/15(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
梁 永 |
主权项 |
1.一种有源矩阵显示器,包括:具有绝缘表面的衬底;在所述绝缘表面上形成的半导体层,所述半导体层包括具有相同导电类型的第一、第二和第三掺杂区,以及第一和第二沟道,其中所述第一沟道位于所述第一和第二掺杂区之间,和所述第二沟道位于所述第二和第三掺杂区之间;形成在所述半导体层上的第一绝缘层;形成在所述绝缘层上的栅线,其中所述栅线在所述第一和第二沟道之上延伸;形成在所述栅线之上的第二绝缘层;形成在所述第二绝缘层之上的源线,其中所述源线电连接到所述第一掺杂区;形成在所述源线之上的第三绝缘层;和形成在所述第三绝缘层之上的像素电极,其中所述像素电极电连接到所述第三掺杂区上;其中所述第一沟道被所述源线覆盖,而所述第二沟道不被所述源线覆盖。 |
地址 |
日本神奈川县 |