半导体结构

摘要

本发明提供一种半导体结构。通过噪声隔离结构将位于衬底上的第一元件区域及第二元件区域隔离。上述噪声隔离结构包括一下沉区域，包围上述第一元件区域；以及一埋置层，其位于上述第一元件区域的下方且连接上述下沉区域；一深防护环，包围上述下沉区域；以及一深沟槽隔离区域，包围上述下沉区域。噪声隔离结构还包括一宽防护环，其位于上述第一元件区域以及上述第二元件区域之间。上述下沉区域以及上述埋置层具有高不纯物浓度。可隔离分别位于上述第一元件区域以及上述第二元件区域中的集成电路的噪声。通过本发明可大大提升位于集成电路中的数字电路及模拟电路之间的噪声隔离能力。

主权项

1.一种半导体结构，包括：一半导体衬底，其具有第一导电类型；一埋置层，其具有第二导电类型，所述埋置层位于所述半导体衬底中，且位于以半导体材料形成的一第一元件区域下方，其中所述埋置层为高浓度掺杂；一下沉区域，其具有第二导电类型，包围所述第一元件区域以及连接所述埋置层，其中所述下沉区域为高浓度掺杂；一深沟槽隔离区域，包围所述下沉区域；一深防护环，其具有第一导电类型，包围所述下沉区域；一第二元件区域，其至少通过所述下沉区域、所述深沟槽隔离区域、所述深防护环与所述第一元件区域隔开；以及一宽防护环，其具有第一导电类型，且其宽度大于所述深防护环，并位于所述第二元件区域以及一包围所述深沟槽隔离区域以及所述深防护环的区域之间，其中所述下沉区域、所述深防护环与所述宽防护环均为交流接地。