| 发明名称 | 不使用外磁场的控制反磁化的装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于控制在诸如磁性存储元件这样的控制的铁磁性系统中的反磁化而不使用外磁场的装置，其中在两个平面电极之间有一磁控制部分，该磁控制部分包括：从第一电极开始，第一铁磁性层，非磁性层，第二铁磁性层，和所述两个平面电极的第二电极。所述第二铁磁性层的厚度小于所述第一铁磁性层的厚度，并且所述第二电极的厚度被设置成使得控制装置能控制所述第二铁磁性层和系统之间的磁性耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN100476996C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN02819206.0 | 申请日期 | 2002.07.26 |
| 申请人 | 塔莱斯公司 | 发明人 | 弗雷德里克·阮万窦;文森特·克罗;琼玛丽·乔治;朱莉·克罗利尔;亨利·雅弗雷斯;弗雷德里克·彼得罗夫 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王 英 |
| 主权项 | 1、一种不使用外磁场控制反磁化的装置，其中在两个平面电极(3、7)之间有一磁控制部分，该部分包括，从第一电极开始，第一铁磁性层(4)，非磁性层(5)，第二铁磁性层(6)，和第二电极(7)，所述第二铁磁性层的厚度小于所述第一铁磁性层的厚度，所述第二电极(7)的厚度被设置成使得所述第二铁磁性层和控制装置所控制的系统(8，8B)之间磁性耦合。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||