集成电路的制造方法、金属-绝缘层-金属电容形成方法

摘要

本发明提供一种形成金属-绝缘层-金属电容的方法，该方法包括下述步骤：在基底上形成电容下板与金属内联结构。之后，形成具有预定厚度的介电层，该介电层包含位于该电容下板上方的第一部分以及位于该金属内联结构上方的第二部分。接着，调整该介电层的第一部分与第二部分的相对厚度，使该介电层位于金属内联结构上方的第二部分的厚度大于其位于电容下板上方的第一部分的厚度。调整该介电层的第一部分与第二部分相对厚度的方法包括：蚀刻该介电层的第一部分或添加介电材料至该介电层的第二部分上。最后，在该介电层的第一部分上形成电容上板，以制作完成该金属-绝缘层-金属电容结构。本发明的方法减少了额外的光罩步骤，并且简单、成本降低。

主权项

1.一种形成金属-绝缘层-金属电容的方法，该方法包括下述步骤：在基底上形成电容下板与金属内联结构；形成具有预定厚度的介电层，其包含位于该电容下板上方的第一部分以及位于该金属内联结构上方的第二部分；调整该介电层的第一部分与第二部分的相对厚度，以使该介电层位于该金属内联结构上方的第二部分的厚度大于其位于该电容下板上方的第一部分的厚度；以及在该介电层的第一部分上形成电容上板。