非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

摘要

一种非挥发性存储器，是由基底、选择栅极、掺杂区、控制栅极与浮置栅极所构成的。基底中具有一沟槽。选择栅极设置于沟槽中，且选择栅极的表面低于基底表面。掺杂区设置于沟槽下方的基底中。控制栅极设置于选择栅极上。浮置栅极设置于选择栅极与控制栅极之间，且位于沟槽顶端两侧的边角处。

主权项

1.一种非挥发性存储器，包括：基底，该基底中具有至少沟槽；至少选择栅极，设置于该沟槽中，且该选择栅极的表面低于该基底表面；至少第一掺杂区，设置于该沟槽下方的该基底中；控制栅极，设置于该选择栅极上；以及多个浮置栅极，设置于该选择栅极与该控制栅极之间，分别位于各该沟槽顶端两侧的边角处。