发明名称 切割晶片的方法
摘要 提供晶片,并在该晶片的正面形成正面切割道图案。接着在该晶片的背面形成对应于该正面切割道图案的背面切割道图案。随后将该晶片贴附于可扩张膜上,并进行裂片工艺,利用拉撑该可扩张膜以使该晶片断裂而形成多个管芯。
申请公布号 CN100477162C 申请公布日期 2009.04.08
申请号 CN200610004129.5 申请日期 2006.02.21
申请人 探微科技股份有限公司 发明人 杨辰雄
分类号 H01L21/78(2006.01)I;H01L21/301(2006.01)I 主分类号 H01L21/78(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯 宇
主权项 1、一种切割晶片的方法,包含有:提供晶片,且所述晶片的正面包含有结构层;在所述结构层上形成正面切割道图案,且所述正面切割道图案深及所述晶片但未贯穿所述晶片;进行蚀刻工艺以在所述晶片的背面形成对应于所述正面切割道图案的背面切割道图案,并一并在所述晶片的背面形成多个暴露出所述结构层的腔体,由此形成多个悬膜结构;以及将所述晶片贴附于可扩张膜上,并进行裂片工艺,利用拉撑所述可扩张膜以使所述晶片断裂而形成多个管芯。
地址 中国台湾桃园县