发明名称 一种薄膜太阳能电池芯片修复方法及装置
摘要 本发明适用于太阳能电池领域,提供了一种薄膜太阳能电池芯片修复方法及装置,所述方法包括以下步骤:在经过最后一道刻划工序之后形成的第二电极层上一条或多条刻划线的两侧施加预定的直流电压,所述直流电压的方向与薄膜太阳能电池芯片在正常使用时对外供电的电压方向相反;持续施加电压至刻划不足部分击穿开路。本发明中,在经过最后一道刻划工序之后形成的第二电极层上一条或多条刻划线的两侧施加反向直流电压,由于在没有刻断或者没有完全刻断的地方形成短路,从而有较大的电流通过,短路之处击穿开路,达到修复的目的,有效地提高了良品率。
申请公布号 CN101404306A 申请公布日期 2009.04.08
申请号 CN200810217275.5 申请日期 2008.11.05
申请人 深圳市大族激光科技股份有限公司 发明人 高云峰;倪鹏玉
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 深圳中一专利商标事务所 代理人 张全文
主权项 1、一种薄膜太阳能电池芯片修复方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:在经过最后一道刻划工序之后形成的第二电极层上一条或多条刻划线的两侧施加预定的直流电压,所述直流电压的方向与薄膜太阳能电池芯片在正常使用时对外供电的电压方向相反;持续施加电压至刻划不足部分击穿开路。
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