半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，不用增加高温长时间的扩散工序，就可实现耐高压并具备可提高可靠性的降低表面电场结构。本发明的半导体装置(1)，具备：配设在基板(2)部的主面部、具有互相间隔的第1导电型的第1半导体区域(2B)和第2半导体区域(5)、在第1半导体区域(2B)和第2半导体区域(5)之间具有与第1导电型相反的第2导电型的第3半导体区域(4)的半导体元件区域；在基板(2)周边部的主面上配设的、与第3半导体区域(4)连接、在与第3半导体区域(4)相同条件下构成的、具有相同导电型的第4半导体区域(41)；从第4半导体区域(41)的主面至不满其结深的范围内构成的沟道(42)。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体元件区域、第4半导体区域和沟道；所述半导体元件区域配设在基板中央部，具有互相间隔的第1导电型的第1半导体区域和第2半导体区域，具有第3半导体区域，所述第3半导体区域被设置成露出于所述第1半导体区域和所述第2半导体区域之间的所述基板的主面并且具有与所述第1导电型相反的第2导电型；所述第4半导体区域被设置成比所述基板中央部更多地在基板的端侧的主面上露出，与所述第3半导体区域电连接，并且在与所述第3半导体区域相同条件下形成，具有与所述第3半导体区域相同的导电型；在所述第4半导体区域内从所述第4半导体区域的主面至不满其结深的范围内形成所述沟道。