| 发明名称 | 半导体发光器件以及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造氮化物半导体器件的方法包括以下步骤：生长In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N(0≤x≤1)层；在至少500℃的生长温度时在所述In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层上生长含铝的氮化物半导体层，使得电子气区由此形成于所述In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层和氮化物半导体层之间的界面处，随后，以至少800℃的温度对所述氮化物半导体层进行退火。本发明的方法可以提供具有6×10<sup>13</sup>cm<sup>-2</sup>或以上的片载流子密度的电子气。可以用具有相对较低铝浓度(诸如0.3或以下的铝摩尔分数)的含铝的氮化物半导体层获得具有这种高片载流子浓度的电子气，且不需要掺杂该含铝的氮化物半导体层或In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层。 | ||
| 申请公布号 | CN100477304C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200610077689.3 | 申请日期 | 2006.04.28 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | S·E·霍珀;V·鲍斯奎特;J·赫弗尔南 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张政权 |
| 主权项 | 1.一种制造氮化物半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：生长InxGa1-xN层，其中0≤x≤1，其中所述InxGa1-xN层具有至少20nm的厚度；在至少500℃且750℃以下的生长温度，在所述InxGa1-xN层上生长含铝的氮化物半导体层，所述含铝的氮化物半导体层的厚度使得电子气区由此形成于所述InxGa1-xN层和氮化物半导体层之间的界面处，其中所述氮化物半导体层具有至少5nm且小于50nm的厚度；以及在至少800℃的温度，对所述氮化物半导体层进行退火。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||