| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，p型保护元件(102)及n型保护元件(103)中的漏极区域和保护带的最小距离比p型内部电路元件(202)及n型内部电路元件(203)中的漏极区域和保护带的最小距离短。其对应课题如下，在半导体装置高集成化，其动作电压低电压化且低耗电化，并且构成半导体装置的半导体元件的结构细微化且高密度化的情况下，该半导体装置，特别容易产生MOS晶体管的静电破坏。 | ||
| 申请公布号 | CN100477215C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200710001820.2 | 申请日期 | 2007.01.05 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 垣内俊雄 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其具有MOS晶体管保护元件和内部电路，其特征在于：所述MOS晶体管保护元件中的保护带与所述MOS晶体管保护元件的连接外部端子的漏极区域或源极区域的最小距离，比所述内部电路中的保护带与所述内部电路的连接外部端子的漏极区域或源极区域的最小距离短。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||