存储器元件

摘要

本发明描述用于在具有多个存储单元的电荷陷入存储器中增大存储器操作裕度的方法和结构，前述多个存储单元中每一存储单元能够储存多个位元。在本发明的第一观点，描述在单一存储单元二位元的存储器中增大存储器操作裕度的第一方法，其通过施加正栅极电压+Vg将存储单元擦除为负电压准位来进行。或者，将负栅极电压-Vg施加到前述单一存储单元二位元的存储器以便将存储单元擦除为负电压准位。增大存储器操作裕度的第二方法是将存储单元擦除为低于初始临界电压准位的电压准位。这两种擦除方法可在程序化步骤之前(即，预程序化擦除操作)或在程序化步骤之后(即，后程序化擦除操作)实施。

主权项

1.一种具有多个多位元存储单元的存储器元件，前述存储单元具有左位元及右位元，其特征在于包括：衬底；覆盖在前述衬底上的底部氧化物层；覆盖前述底部氧化物的第一电荷陷入层；配置于前述第一电荷陷入层上的顶部介电结构，前述顶部介电结构具有一个或一个以上的介电层；以及覆盖前述顶部介电结构的导电层，其中前述存储单元是通过擦除操作而擦除到负的临界电压准位。