发明名称 |
制备掺杂的有机半导体材料的方法以及在该方法中使用的配方物 |
摘要 |
本发明涉及用于制备掺杂的有机半导体材料的方法,所述方法包含如下步骤:(i)制备包含至少一种掺杂剂前体、至少一种待掺杂的有机材料和溶剂的溶液或悬浮液,(ii)将所述溶液或悬浮液施用于基材上并移除溶剂,(iii)通过施加活化能将掺杂剂前体转化为掺杂剂,其中所述掺杂剂前体是掺杂剂的二聚物、低聚物、聚合物、二螺化合物或多环,所述掺杂剂前体通过施加活化能解离为掺杂剂。 |
申请公布号 |
CN101405884A |
申请公布日期 |
2009.04.08 |
申请号 |
CN200780009954.7 |
申请日期 |
2007.03.21 |
申请人 |
诺瓦莱德公开股份有限公司 |
发明人 |
奥拉夫·蔡卡;安德利亚·卢克斯;迈克尔·利默特;霍斯特·哈特曼;安德烈·格吕辛;安斯加尔·维尔纳;马丁·安曼 |
分类号 |
H01L51/00(2006.01)I;C07D233/24(2006.01)I;C07D235/02(2006.01)I;C07D235/20(2006.01)I;C07D277/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/00(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
王海川;穆德骏 |
主权项 |
1.用于制备掺杂的有机半导体材料的方法,其包含如下步骤:(i)制备包含至少一种掺杂剂前体、至少一种待掺杂的有机材料和溶剂的溶液或悬浮液,(ii)将所述溶液或悬浮液施用于基材上并移除溶剂,(iii)通过施加活化能将掺杂剂前体转化为掺杂剂,其中所述掺杂剂前体是掺杂剂的二聚物、低聚物、聚合物、二螺化合物或多环,所述掺杂剂前体通过施加活化能解离为所述掺杂剂。 |
地址 |
德国德雷斯顿 |