通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法

摘要

通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法，涉及电子材料，特别涉及铁电薄膜的制备技术。本发明提供一种铁电薄膜的制备方法，以实现铁电薄膜在Si基片上的选择性择优定向生长，减小、抑制BST/Si界面互扩散行为。为此，本发明提供一种通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法，其过程包括在基片上沉积BTO薄膜，薄膜沉积达到预定厚度时，升高沉积温度再进行沉积，达到下一预定厚度时，再升高沉积温度进行沉积，如此循环。本发明实现了铁电薄膜在Si基片上的选择性择优定向生长，减小、抑制BST/Si界面互扩散行为，在Si基片上制备具有原子级平整度的择优单一取向的铁电薄膜，实现了铁电薄膜的良好生长。

主权项

1、通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)温度为T1时，沉积BaTiO3薄膜，薄膜达到第一预定厚度时，停止沉积；2)温度为T2时，沉积BaTiO3薄膜，薄膜达到第二预定厚度时，停止沉积；……n)温度为Tn时，沉积BaTiO3薄膜，薄膜达到第n预定厚度时，停止沉积；以上温度T1＜T2＜…＜Tn。