发明名称 IC场中具有光学控制模块的晶片
摘要 在具有多个曝光场(2)的晶片(1)中,每个曝光场包括多个具有位于其中的IC(4)的栅格场(3),提供两组(5,7)割锯路径(6,8)并为每个曝光场分配两个控制模块场(A1、A2、B1、B2、C1、C2、D1、D2),每个控制模块场包含至少一个光学控制模块(OCM-A1、OCM-A2、OCM-B1、OCM-B2、OCM-C1、OCM-C2、OCM-D1、OCM-D2)并位于所讨论的曝光场之内,并包括多个控制模块场部分(A11、A12、...A1N和A21、A22、...A2N以及B11、B12、...B1N和B21、B22、...B2N以及C1N和C2N以及D1N和D2N)并分布在多个栅格(3)中,其中每个控制模块场部分(A11到D2N)位于栅格场中并包含至少一个控制模块部件(10、11、12、13、14、15、16、17、18)。
申请公布号 CN100477204C 申请公布日期 2009.04.08
申请号 CN200480038428.X 申请日期 2004.12.09
申请人 NXP股份有限公司 发明人 H·朔伊赫尔
分类号 H01L23/544(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 主分类号 H01L23/544(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 王波波
主权项 1.一种晶片(1),该晶片(1)包括多个曝光场(2)且该晶片(1)在每个曝光场(2)中包括多个栅格场(3),其中每个栅格场(3)包含IC(4)且每个IC(4)包含多个IC元件,且该晶片(1)包括第一组(5)第一割锯路径(6)和第二组(7)第二割锯路径(8),其中第一组(5)的所有第一割锯路径(6)平行于第一方向(X)延伸并具有第一路径宽度(W1),且其中第二组(7)的所有第二割锯路径(8)平行于与第一方向(X)相交的第二方向(Y)延伸并具有第二路径宽度(W2),其中提供和设计第一割锯路径(6)和第二割锯路径(8)以用于栅格场(3)和其中包含的IC(4)的后续分离,且其中在每个曝光场(2)中提供至少两个控制模块场(A1、A2、B1、B2、C1、C2、D1、D2),每个控制模块场(A1、A2、B1、B2、C1、C2、D1、D2)平行于第一方向(X)延伸,因此也平行于第一割锯路径(6)并包含至少一个光学控制模块(OCM-A1、OCM-A2、OCM-B1、OCM-B2、OCM-C1、OCM-C2、OCM-D1、OCM-D2),每个控制模块(OCM-A1、OCM-A2、OCM-B1、OCM-B2、OCM-C1、OCM-C2、OCM-D1、OCM-D2)包含多个控制模块部件,曝光场(2)内的每个控制模块场(A1、A2、B1、B2、C1、C2、D1、D2)包括多个控制模块场部分(A11、A12、…A1N和A21、A22、…A2N以及B11、B12、…B1N和B21、B22、…B2N)并分布在若干栅格场(3)中,且每个控制模块场部分(A11到B2N)位于栅格场(3)中并包含所述控制模块部件的至少一个。
地址 荷兰艾恩德霍芬