| 发明名称 | 用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液，其特征在于，该腐蚀溶液是按体积比为：Br<sub>2</sub>∶HBr∶H<sub>2</sub>O＝1∶25∶480配制的混合溶液。本发明的有益效果是在GaInP材料上腐蚀出较好得光栅形貌，从而得到了好得器件性能。同时，该腐蚀液还可用于其它III-V族化合物半导体材料的腐蚀，具有广泛的应用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN100476039C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200610011983.4 | 申请日期 | 2006.05.25 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 付生辉;钟源;陈良惠 |
| 分类号 | C23F1/16(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液，其特征在于，该腐蚀溶液是按体积比为：Br2∶HBr∶H20＝1∶25∶480配制的混合溶液。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||