| 发明名称 | 利用固相外延再生长的具有降低的结泄漏的半导体衬底及其制作方法 | ||
| 摘要 | 制作半导体器件的方法，包括：a)提供半导体衬底，b)通过适当的注入在半导体衬底的顶层中制作第一非晶层，该第一非晶层具有第一深度，c)在半导体衬底中注入第一掺杂剂以便为第一非晶层提供第一掺杂轮廓，d)施加第一固相外延再生长操作以局部地再生长第一非晶层，并形成具有小于第一深度的第二深度的第二非晶层，以及激活第一掺杂剂，e)在半导体衬底中注入第二掺杂剂以便为第二非晶层提供具有比第一掺杂轮廓高的掺杂浓度的第二掺杂轮廓，f)施加第二固相外延再生长操作以再生长第二非晶层并激活第二掺杂剂。 | ||
| 申请公布号 | CN100477092C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200480037956.3 | 申请日期 | 2004.12.02 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | B·J·保拉克;R·J·杜菲;R·林赛 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 1.制作半导体器件的方法，包括：a)提供半导体衬底，b)通过注入在所述半导体衬底的顶层中制作第一非晶层，所述第一非晶层具有第一深度，c)在所述半导体衬底中注入第一掺杂剂，以便为所述第一非晶层提供第一掺杂轮廓，d)应用第一固相外延再生长操作以部分地再生长所述第一非晶层，并形成具有小于所述第一深度的第二深度的第二非晶层，以及激活所述第一掺杂剂，e)在所述半导体衬底中注入第二掺杂剂，以便为所述第二非晶层提供具有比所述第一掺杂轮廓更高的掺杂浓度的第二掺杂轮廓，f)应用第二固相外延再生长操作，以再生长所述第二非晶层并激活所述第二掺杂剂。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||