发明名称 |
用于制造太阳能电池的方法和结构 |
摘要 |
本发明涉及一种光伏电池器件,例如,太阳能电池、太阳能电池板,以及其制造方法。该器件具有包括第一表面和第二表面的光学透明基板。包括第一厚度的材料(例如,半导体材料、单晶材料),其具有第一表面区域和第二表面区域。在一种优选的具体实施方式中,该表面区域覆盖光学透明基板的第一表面。该器件具有设置在该厚度的材料的第一表面区域和光学透明材料的第一表面之间的光耦合材料。第二厚度的半导体材料覆盖第二表面区域以形成所获得厚度的半导体材料。 |
申请公布号 |
CN101405833A |
申请公布日期 |
2009.04.08 |
申请号 |
CN200780009438.4 |
申请日期 |
2007.03.16 |
申请人 |
硅源公司 |
发明人 |
弗兰乔斯·J·亨利;菲利普·詹姆斯·翁 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L31/00(2006.01)I;H02N6/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
章社杲;张 英 |
主权项 |
1.一种用于制造光伏电池的方法,所述方法包括:提供半导体基板,所述半导体基板具有表面区域、解理区域以及在所述表面区域和所述解理区域之间待除去的第一厚度的材料;将所述半导体基板的所述表面区域结合于光学透明基板的第一表面区域,所述光学透明基板包括所述第一表面区域和第二表面区域;解理所述半导体基板以从所述半导体基板除去所述第一厚度的材料,而所述表面区域仍然结合于所述第一表面区域,以引起解理的表面区域的形成;以及形成第二厚度的半导体材料,所述第二厚度的半导体材料覆盖所述解理的表面区域以形成所获得厚度的半导体材料。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |