发明名称 结晶设备、结晶方法及调相装置
摘要 本发明的结晶设备用具有预定光强分布的光通量照射非单晶半导体膜(5),从而使该膜结晶,并且本发明的结晶设备包括含有多个以一定周期排列并且互相具有基本相同图案的单位区域的调相装置(1),以及布置在所述调相装置和所述非单晶半导体膜之间的光学成像系统(4)。所述调相装置的每个单位区域包括具有特定相位的基准面;布置在每个单位区域附近并且相对于所述基准面具有第一相位差的第一区域;以及布置在所述第一区域附近并且相对于所述基准面具有与所述第一相位差基本相同的相位差的第二区域。
申请公布号 CN101404251A 申请公布日期 2009.04.08
申请号 CN200810167902.9 申请日期 2005.04.28
申请人 株式会社液晶先端技术开发中心 发明人 加藤智也;松村正清;谷口幸夫
分类号 H01L21/268(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/786(2006.01)I 主分类号 H01L21/268(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 陈松涛
主权项 1、一种结晶方法,包括:使激光通过包括多个以一定周期排列并且互相基本上具有相同图案的单位区域(1a)的调相装置(1)以及光学成像系统(4),从而产生具有预定光强分布的光通量;用所述光通量照射非单晶半导体膜,从而熔化该半导体膜;在非单晶半导体膜的熔化部分固化的过程中,周期性地产生单向生长的晶核;及以生长的晶核为中心,径向生长晶体,从而形成晶粒阵列膜;其中,调相装置(1)的每个单位区域(1a)具有:具有特定相位的基准面(1aa);第一区域(1ab),其布置在每个单位区域(1a)中央附近并且与所述基准面(1aa)具有第一相位差;及第二区域(1ac),其布置在第一区域(1ab)附近并且相对于所述基准面(1aa)基本上具有与所述第一相位差相同的相位差。
地址 日本神奈川县