一种无缝隙式键合过程GaN基发光器件及其制备方法

摘要

一种无缝隙式键合过程GaN基发光器件及其制备方法，采用干法蚀刻去除部分GaN外延层和激光划开GaN外延层的方法，实现GaN基单元发光器件之间的绝对分隔；钝化膜包裹发光器件侧壁，保证器件与深度补偿膜的绝对电阻断；通过在相互分隔的各单元GaN基发光器件形成的凹槽中沉积深度补偿膜，沉积厚度与两侧台面齐平，形成高度一致的平面，实现GaN基发光器件与支撑部件的无缝隙式键合，降低激光剥离过程裂缝的发生率，提高成品率；且深度补偿膜是具有高反射率的金属材料，保留在发光器件的侧壁部分，可以减少发光器件侧壁的光损失，提高器件的发光效率，并有助于发光器件散热。

主权项

1.一种无缝隙式键合过程GaN基发光器件，包括具有N半导体层、活性层和P半导体层的GaN基外延膜；在P半导体层下形成欧姆接触及金属反射层，其反射金属膜材料优选Ag，厚度是50～500nm；在反射金属膜下形成多层金属膜；在多层金属层膜上形成共晶焊料层；共晶焊料层与支撑部件键合；在N半导体层上形成N电极材料层；在支撑部件底部形成P电极材料层；其特征在于：GaN基发光器件侧壁包裹钝化膜，保证器件与深度补偿膜的绝对电阻断，钝化膜厚度为50～500nm；钝化膜外围和多层金属空隙中填充满高反射金属材料，厚度为0.5～2μm，实现GaN基发光器件与支撑部件的无缝隙式键合，降低激光剥离过程裂缝的发生率，提高成品率；同时发光器件侧壁的高反射率金属材料可减少器件的光损失，提高器件的发光效率并有助于发光器件散热。