发明名称 | 发光二极管的制造方法 | ||
摘要 | 一种用于制造发光二极管的方法。首先提供发光二极管外延片,此发光二极管外延片包含第一基材及外延层。平坦化发光二极管外延片的外延层的表面。至少在部分平坦化的表面上形成一欧姆接触层。形成金属光反射层覆盖欧姆接触层与发光二极管外延片。在金属光反射层上形成扩散障碍层。接合第二基材到扩散障碍层上,接着移除第一基材。 | ||
申请公布号 | CN100477301C | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
申请号 | CN200410104975.5 | 申请日期 | 2004.12.21 |
申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 陈泽澎;谢素芬 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海市华诚律师事务所 | 代理人 | 徐申民;董红曼 |
主权项 | 1.一种发光二极管的制造方法,包含:提供发光二极管外延片,所述发光二极管外延片包含第一基材及外延层;平坦化所述发光二极管外延片的外延层的表面;至少在部分平坦化的表面上形成一欧姆接触层;形成一金属光反射层覆盖所述欧姆接触层与所述外延层;利用接合层将所述发光二极管外延片与第二基材接合在一起;以及移除所述第一基材。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行五路5号 |