具有复合区域的绝缘体上硅场效应晶体管及形成该场效应晶体管的方法

摘要

本发明揭示SOI晶体管组件及其制造方法，其中高浓度的稳态点缺陷系藉由包括在具有些微晶格差异的主动晶体管区域内的区域而产生。在一特定具体实施例中，因为在热处理晶体管组件时，将硅锗层(320)的应力缓和，所以硅锗层则能够设置于具有高浓度点缺陷的主动区域中。由于点缺陷，复合率则可明显地增加，藉此而减少储存于主动区域中电荷载子的数目。

主权项

1.一种在基板上形成晶体管组件的方法，该方法包含：设置一基板，在该基板上形成一绝缘层；形成第一与第二晶状半导体层，该第一与第二单晶半导体层具有不同的晶格常数，以在该第二半导体层中产生应力；以及在该第一与第二晶状半导体层里面与上面形成一晶体管组件，其中在该晶体管组件形成期间内的一种或者更多种的热处理降低该应力，并且在该第二半导体层中产生密度高于第一半导体层中点缺陷密度的点缺陷。