| 发明名称 | 半导体零件和制造集成电路芯片的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体零件，它具有：一主芯片体；以及一蒸发成型的和包覆主芯片体的保护层。还提供了制造集成电路芯片的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101404262A | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200810080757.0 | 申请日期 | 2000.04.28 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 吉良秀彦;马场俊二;海沼则夫;冈田徹;山上高丰;佐佐木康则;小宫山武司;小八重健二;小林弘 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郑修哲 |
| 主权项 | 1.一种制造集成电路芯片的方法，所述的芯片安装在磁头组件上并形成该磁头组件的一部分，该方法具有以下步骤：(a)在晶片的第一和第二表面上形成第一保护层，晶片具有导体凸起设置在其第一表面和与其相对的第二表面中的一个表面上；(b)将具有第一保护层的晶片切割成一组芯片；以及(c)在每个切割的芯片的周边侧面上形成第二保护层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||