发明名称 |
磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置、以及磁存储器 |
摘要 |
本发明提供一种磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置、以及磁存储器,该磁阻效应元件包括:3层以上的金属磁性层;所述3层以上的金属磁性层间设置的连接层;以及使电流相对于所述金属磁性层和连接层的迭层体在垂直方向上导通的电极,所述3层以上的金属磁性层当中最底层或最顶层的金属磁性层的磁化方向被固定,中间的金属磁性层的磁化方向扭转。 |
申请公布号 |
CN101404320A |
申请公布日期 |
2009.04.08 |
申请号 |
CN200810178701.9 |
申请日期 |
2006.05.26 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
福泽英明;汤浅裕美;岩崎仁志 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I;G11B5/39(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 |
上海市华诚律师事务所 |
代理人 |
丁利华 |
主权项 |
1.一种磁阻效应元件,其特征在于,包括:3层以上的金属磁性层;所述金属磁性层间设置的连接层;以及使电流相对于所述金属磁性层和连接层的迭层体在垂直方向上导通的电极,所述金属磁性层当中最底层或最顶层的金属磁性层的磁化方向被固定,中间的金属磁性层的磁化方向扭转。 |
地址 |
日本国东京都港区芝浦一丁目1番1号 |