| 发明名称 | 具有多层结构的光电子器件 | ||
| 摘要 | 光电子器件包括由氢硅氧烷和包含式(I)的结构单元的聚芴之间的反应生成的聚合物组合物，见右化学式其中R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>独立地为烷基、取代烷基、链烯基、炔基、取代链烯基、取代炔基、烷氧基、取代烷氧基、烯氧基、炔氧基、取代烯氧基、取代炔氧基、或其组合；Ar<sup>1</sup>和Ar<sup>2</sup>独立地为芳基或取代芳基；m和n独立地为0或1；且R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>的至少一个是链烯基、炔基、取代链烯基或取代炔基。 | ||
| 申请公布号 | CN101405244A | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200780010041.7 | 申请日期 | 2007.03.16 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | J·A·塞拉;L·N·路易斯 |
| 分类号 | C07C25/18(2006.01)I;C07C25/24(2006.01)I;C08G77/04(2006.01)I;C08G69/10(2006.01)I | 主分类号 | C07C25/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 段晓玲;韦欣华 |
| 主权项 | 1.由氢硅氧烷和包含式I的结构单元的聚芴之间的反应生成的聚合物组合物<img file="A2007800100410002C1.GIF" wi="525" he="247" />I其中R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>独立地为烷基、取代烷基、链烯基、炔基、取代链烯基、取代炔基、烷氧基、取代烷氧基、链烯氧基、炔氧基、取代链烯氧基、取代炔氧基或其组合；Ar<sup>1</sup>和Ar<sup>2</sup>独立地为芳基或取代芳基；m和n独立地为0或1；且R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>的至少一个是链烯基、炔基、取代链烯基或取代炔基。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||